多種焊錫沉積技術用于形成 WLCSP 和倒裝芯片互連的焊錫凸點。
PacTech采用化學鍍鎳工藝來沉積底部凸起金屬（UBM），并使用三種不同的技術來沉積/返工焊球：
使用 SB2 技術的單顆激光噴射焊料
使用Ultra-SB2技術的焊球轉移
焊料球返工 (去球和重球)
選擇這些焊料沉積技術取決于產品類型、凸點高度要求、焊盤間距和需要凸起的數量。
倒裝芯片凸點和晶圓級芯片級封裝凸點概述：
晶圓凸點通常分為兩個不同的類別：倒裝芯片(FC) 凸點和晶圓級芯片級封裝 (WLCSP)凸點 。這種分類及其相關術語部分取決于焊料凸點的尺寸和用于創建凸點的設備類型。
“倒裝芯片凸點”是指半導體晶圓上的凸點，其高度范圍為 50 至 200 μm，通常使用底層填充材料將芯片和基板組裝在一起。
“晶圓級芯片級封裝凸點”是指高度范圍為 200 至 500 μm 的凸點，通常在組裝過程中不使用底層填充材料。
